SI2392DS-T1-GE3

Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI2392DS-T1-GE3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI2392DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (831 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SI2392DS-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Datenblätte:	SI2392DS-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	67285 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI2392DS-T1-GE3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus67285 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-GehäuseSOT-23
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs126 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / GehäuseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere NamenSI2392DS-T1-GE3TR
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds196pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)100V
detaillierte BeschreibungN-Channel 100V 3.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C3.1A (Tc)
SI2392DS-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]SI2392DS-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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